北京科华微电子材料有限公司
基本信息
详细参数
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材料企业
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| 产品分类 | 二级分类 | 产品名称 | 图片介绍 | 生产厂家 | 产品特征 |
| 光刻胶及聚酰亚胺 | 紫外宽谱光刻胶 | BN301系列 | 北京科华微电子材料有限公司 | BN301系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的负性光刻胶，主要用于半导体分立器件及其它微型器件的制作。 本产品粘度可以在20-60mPa.s范围内调整， 覆盖光刻胶膜厚范围2.0-3.0um, 在多种基片上均有良好的粘附性,抗湿法腐蚀性能良好。 | |
| 光刻胶及聚酰亚胺 | 紫外宽谱光刻胶 | BN303系列 | 北京科华微电子材料有限公司 | BN303系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的负性光刻胶，主要用于中小规模集成电路、分立器件及其它微型器件的制作。 本产品粘度可以在２９－１００mPa.s范围内调整， 覆盖光刻胶膜厚范围0.85-2.1um. 实用分辨率可达5μm, 在多种基片上均有良好的粘附性,抗湿法腐蚀性能良好。 | |
| 光刻胶及聚酰亚胺 | 紫外宽谱光刻胶 | BN308系列 | 北京科华微电子材料有限公司 | BN308系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的负性光刻胶，主要用于分立器件及其它微型器件的制作。本产品粘度可以在140－500mPa.s范围内调整， 覆盖光刻胶膜厚范围2.2-6um. 实用分辨率可达8μm, 在多种基片上均有良好的粘附性,抗湿法腐蚀性能优异。 | |
| 光刻胶及聚酰亚胺 | 紫外宽谱光刻胶 | BN310系列 | 北京科华微电子材料有限公司 | BN310系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的负性光刻胶，主要用于中小规模集成电路、分立器件及其它微型器件的制作。本产品粘度可以在27－39mPa.s范围内调整， 覆盖光刻胶膜厚范围0.85-1um. 实用分辨率可达2μm, 在多种基片上均有良好的粘附性,含防光晕染料，可在高反射基片上使用。 | |
| 光刻胶及聚酰亚胺 | G线光刻胶 | KMP E3100系列 | 北京科华微电子材料有限公司 | KMP E3100系列光刻胶是专为Lift Off工艺开发的紫外负性光刻胶，其采用酚醛树脂体系，与正胶工艺相容（可用正胶显影液进行显影）。E3100系列具有多个型号，膜厚范围为1.0-4.5um，可以满足不同工艺对倒梯角的需求，此外具有分辨率高、工艺窗口大及易去胶等优点，广泛用于IC/LED芯片制造过程中的Lift Off工艺。 | |
| 光刻胶及聚酰亚胺 | G线光刻胶 | KMP E3200系列 | 北京科华微电子材料有限公司 | KMP EP3100系列光刻胶是一款G/I线正性光刻胶，其特点是感光速度快、分辨率高，主要用于LED芯片制造领域，可以有效的提高芯片制造企业的产率。 | |
| 光刻胶及聚酰亚胺 | G线光刻胶 | KMP EP3100系列 | 北京科华微电子材料有限公司 | KMP EP3200系列光刻胶是一款G/I线正性光刻胶，主要用于LED芯片制造，其感光速度适中、分辨率高、工艺窗口大，此外还具有优异的粘附性，在不使用HMDS的情况下能保持显影时不掉胶、湿法刻蚀时无过刻。 | |
| 光刻胶及聚酰亚胺 | G线光刻胶 | KMP EP3200系列 | 北京科华微电子材料有限公司 | KMP BP212系列光刻胶是用于分立器件的宽谱正性光刻胶，适用于宽谱、G线及I线曝光，为酚醛树脂/重氮萘醌体系，本系列产品有不同的粘度，可以覆盖膜厚从0.75um到2.5um，具有分辨率高、感光速度快及工艺窗口大等优点。 | |
| 光刻胶及聚酰亚胺 | G线光刻胶 | KMP BP212系列 | 北京科华微电子材料有限公司 | KMP BP218系列光刻胶是用于分立器件有正性光刻胶，适用于宽谱、G线及I线曝光，为酚醛树脂/重氮奈醌体系，本系列产品有不同的粘度，可以膜厚从1.0um到2.0um，具有分辨率高、感光速度快及工艺窗口大等优点。 | |
| 光刻胶及聚酰亚胺 | G线光刻胶 | KMP BP218系列 | 北京科华微电子材料有限公司 | KMP C6111系列光刻胶是正性厚膜I线光刻胶，主要应用于IC制程中光刻胶膜厚5um时的PAD金属钝化层和DNW的深肼离子注入层。该系列光刻胶工艺窗口大，抗蚀刻能力，抗离子注入能力和可去除性能都符合先进集成电路的需求，已广泛用于先进集成电路制造业企业。 | |
| 光刻胶及聚酰亚胺 | I线光刻胶 | KMP C6111系列 | 北京科华微电子材料有限公司 | KMP C7500系列光刻胶是高分辨I线光刻胶，其采用了独特的树脂结构及具有高分辨性能的感光剂，在0.75um膜厚下可以实现0.35um的分辨率。该系列光刻胶具有不同的粘度，其膜厚范围为0.5-2.0um，同时具有感光速度快、分辨率高及工艺窗口大等优点，适用于集成电路制造工艺中对分辨率要求较高的i线层，已经广泛商用于国内先进集成电路制造业企业。 | |
| 光刻胶及聚酰亚胺 | I线光刻胶 | KMP C7500系列 | 北京科华微电子材料有限公司 | KMP C7300系列光刻胶是高分辨I线光刻胶，在1.0um膜厚下可以实现0.5um的分辨率，该系列光刻胶具有不同粘度的产品，其膜厚范围为0.75-2.5um，同时具有感光速度快、分辨率高及工艺窗口大等优点，广泛用于先进集成电路制造业企业。 | |
| 光刻胶及聚酰亚胺 | I线光刻胶 | KMP C7300系列 | 北京科华微电子材料有限公司 | KMP C8300系列光刻胶是具有高耐热性及高抗刻蚀性的I线光刻胶，其采用了独特的树脂结构及配方体系，在140摄氏度烘烤时仍能保持形貌不变。该系列光刻胶具有不同的粘度，其膜厚范围为1.0-4.0um，分辨率达0.6um，同时具有感光速度快、分辨率高及工艺窗口大等优点，适用于集成电路制造工艺中的implant, metal layers. 已广泛商用于国内主流集成电路制造企业。 | |
| 光刻胶及聚酰亚胺 | I线光刻胶 | KMP C8300系列 | 北京科华微电子材料有限公司 | KMP C8300系列光刻胶是具有高耐热性及高抗刻蚀性的I线光刻胶，其采用了独特的树脂结构及配方体系，在140摄氏度烘烤时仍能保持形貌不变。该系列光刻胶具有不同的粘度，其膜厚范围为1.0-4.0um，分辨率达0.6um，同时具有感光速度快、分辨率高及工艺窗口大等优点，适用于集成电路制造工艺中的implant, metal layers. 已广泛商用于国内主流集成电路制造企业。 | |
| 光刻胶及聚酰亚胺 | I线光刻胶 | KMP C5300系列 | 北京科华微电子材料有限公司 |
KMP C5300系列光刻胶是G/I线通用正性光刻胶，其在1.2um膜厚下可实现0.6um的分辨率，该系列光刻胶感光速度快（1.25um时，Eop达65mJ/cm2），该系列光刻胶具有不同粘度的产品，其膜厚范围为0.75-2.5um，同时具有感光速度快、分辨率高及工艺窗口大等优点，适用于集成电路制造工艺中对分辨率要求不高的i线层，已经广泛商用于国内先进集成电路制造业企业。
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| 光刻胶及聚酰亚胺 | KrF光刻胶 | KMP DK1080 | 北京科华微电子材料有限公司 |
KMP DK1080是国内首款商业化的248nmDUV(KrF)光刻胶，由本公司独立开发完成，并实现向国内先进集成电路制造企业的批量供货。
KMP DK1080适用于集成电路制造中有Implant Layer工艺，在不使用底部抗反射涂层（BARC）时仍能消除由干涉引起的驻波效应，得到陡直的形貌。其膜厚范围为6000-9000A，分辨率达0.25um，同时具有快速的感光速度及优异的工艺窗口。
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| 光刻胶及聚酰亚胺 | 紫外宽谱光刻胶 | KMP CP4800系列 | 北京科华微电子材料有限公司 | KMP CP4800系列光刻胶是专为先进封装制程设计的正性厚膜光刻胶，膜厚可以覆盖10-40um的范围，具有高分辨率，高耐热性，在KOH与TMAH显影液均可适用的特点，已在大陆和台湾封装企业商业量产。 |
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