近年来，随着CMP产业技术的飞速发展，先进CMP技术的未来应用前景与存在的挑战是备受关注的热点。目前，CMP关注于以下方面：10nm节点以下的CMP技术和市场，CMP新型磨粒，TSV中的CMP，晶圆减薄，前段和后段工艺应用中的先进薄膜，先进清洗和表面准备技术，TSV应用中的化学品和材料等等。CMP必须突破技术瓶颈才能在先进技术中得到持续的发展和应用，本文将结合Linx Consulting公司Mike Corbett在CMPUG Semicon West 2015的报告，从缺陷检测技术、逻辑器件与存储器发展以及CMP市场现状着手进行介绍。

对于CMP来说，缺陷检测手段的日益完善正在不断影响着其发展。比如SP3，SP5等光学检测手段，在这些系统的帮助下可以扩大可检测出的缺陷范围。在可以预见的一段时间内，这些先进的光学检测手法就可以检测到10-15nm的颗粒，并实现微型颗粒的抓取，从一定程度上减小此类颗粒给表面带来的划痕等缺陷。然而，未来一定会引入新型的材料，以及产生新的CMP工艺过程，而这一般又会引入一些新的污染物和颗粒，这些新的变化包括：先进DRAM结构，STTMRAM——一种可能替代DRAM的结构，VNAND——对高纵深比和深层结构的挑战。在新的技术、材料层出不穷的情况下，即使现有的检测技术不断发展可以提高缺陷检测水平，但业界内更需要使用更纯的化学品，并提高稀释比，以减少金属离子和微粒子污染，从源头上降低颗粒物的大小，减少缺陷的产生。

逻辑器件的增长趋势：RMG和FEOL finFET的产生使得先进器件的制作中CMP步骤增加到7步，其中逻辑器件的CMP对象包括：STI, Poly, ILD, POP, MG, SAC, W，还有高迁移率通道等。

存储器的增长趋势：Ru电极可以用来制作DRAM，DRAM的尺寸在现有技术下将持续降低，5年后有望通过TSV技术继续对降低DRAM的尺寸；2D和3D NAND将会不断发展，2D结构需要更高的平坦度，而3D结构将会增加W和氧化物的抛光步骤；MRAM提供非易失性存储,高读写速度,降低能源损耗和高写的耐力

CMP市场现状：CMP耗材在半导体制造的支出中占很大比例，尤其是抛光液和抛光垫。晶圆工厂存下如下问题：材料成本中，20%为200毫米晶圆和10%为300毫米晶圆；特种商品的周期特性；特种材料受限于生产规模小。

经过上述的介绍，我们可以总结得到，CMP行业预计接下来几年的增长将依然迅猛，其中CMP耗材正在成为晶圆代工厂中的重要支出部分。对于22nm和14nm，依然需要保证抛光液和抛光垫的质量来控制缺陷，目前存在先进的光学检测手法对缺陷进行控制，但随着新的技术、材料出现所引入的污染颗粒，在先进抛光液中，磨粒形态扔需要严格控制，磨粒不能凝聚，不能有棱角，且磨粒的含量逐渐降低，有些抛光液配方中磨粒含量已降至0.5%甚至更低，趋势是更多的利用化学腐蚀作用来去除，减少机械磨削作用。在抛光液的选择比要求越来越高，抛光垫正在成为全过程控制的重要因素，其中缺陷控制仍是关键，包括减少划痕，dishing/erosion。此外，逻辑器件和存储器在未来的较大增长空间也正在驱使CMP技术不断发展向前。